ON Semiconductor - FDMS86263P

KEY Part #: K6395265

FDMS86263P 価格設定(USD) [80739個在庫]

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品番:
FDMS86263P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86263P 製品の属性

品番 : FDMS86263P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.4A (Ta), 22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 53 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3905pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN