FDN359BN 価格設定（USD） [668296個在庫]
- 1 pcs$0.05535
- 品番:
- FDN359BN
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDN359BN electronic components. FDN359BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN359BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN359BN 製品の属性
品番 :
FDN359BN
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
46 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
650pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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