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ON Semiconductor - FDS3692

KEY Part #: K6409631

FDS3692 価格設定（USD） [217207個在庫]

  • 1 pcs$0.18302
  • 2,500 pcs$0.18211
品番:
FDS3692
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDS3692 electronic components. FDS3692 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS3692, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS3692 製品の属性

品番 : FDS3692
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 746pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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