STMicroelectronics - STL11N6F7

KEY Part #: K6397541

STL11N6F7 価格設定(USD) [209407個在庫]

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品番:
STL11N6F7
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL11N6F7 製品の属性

品番 : STL11N6F7
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
シリーズ : STripFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1035pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.9W (Ta), 48W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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