ON Semiconductor - NTD4970N-35G

KEY Part #: K6399940

NTD4970N-35G 価格設定(USD) [92595個在庫]

  • 1 pcs$0.42228
  • 1,350 pcs$0.16010

品番:
NTD4970N-35G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 38A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTD4970N-35G electronic components. NTD4970N-35G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4970N-35G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD4970N-35G 製品の属性

品番 : NTD4970N-35G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.5A (Ta), 36A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 774pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.