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Microchip Technology - VN0106N3-G

KEY Part #: K6399967

VN0106N3-G 価格設定（USD） [148445個在庫]

  • 1 pcs$0.25312
  • 25 pcs$0.21183
  • 100 pcs$0.19103
品番:
VN0106N3-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology VN0106N3-G electronic components. VN0106N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VN0106N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VN0106N3-G 製品の属性

品番 : VN0106N3-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 350mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 65pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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