Infineon Technologies - BTS282ZE3180AATMA2

KEY Part #: K6399855

BTS282ZE3180AATMA2 価格設定(USD) [31424個在庫]

  • 1 pcs$1.31155
  • 1,000 pcs$1.00084

品番:
BTS282ZE3180AATMA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2 electronic components. BTS282ZE3180AATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BTS282ZE3180AATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BTS282ZE3180AATMA2 製品の属性

品番 : BTS282ZE3180AATMA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
シリーズ : TEMPFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 49V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 240µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 232nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4800pF @ 25V
FET機能 : Temperature Sensing Diode
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-7-1
パッケージ/ケース : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.