DMHC4035LSDQ-13 価格設定（USD） [167961個在庫]
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- 2,500 pcs$0.19490
- 品番:
- DMHC4035LSDQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 31V 40V SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13 electronic components. DMHC4035LSDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMHC4035LSDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMHC4035LSDQ-13 製品の属性
品番 :
DMHC4035LSDQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 31V 40V SO-8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
574pF @ 20V, 587pF @ 20V
パワー-最大 :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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