FDMQ86530L 価格設定（USD） [72973個在庫]
- 1 pcs$0.53850
- 3,000 pcs$0.53582
- 品番:
- FDMQ86530L
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMQ86530L electronic components. FDMQ86530L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMQ86530L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMQ86530L 製品の属性
品番 :
FDMQ86530L
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
シリーズ :
GreenBridge™ PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2295pF @ 30V
パワー-最大 :
1.9W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
12-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
12-MLP (5x4.5)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NTMD6N04R2G
- UPA2351T1P-E4-A
- MP6K13TCR
- ECH8651R-R-TL-HX
- SI4542DY-T1-GE3
- SI7905DN-T1-GE3
- NTMD2C02R2SG
- IPG20N06S4L14ATMA1
- NTZD3152PT1H
- EPC2100ENG
- CTLDM303N-M832DS TR
- ECH8675-TL-H
- AUIRF7379Q
- BSL207NL6327HTSA1
- SIA911DJ-T1-GE3
- SI5933CDC-T1-E3
- SI4906DY-T1-GE3
- IPG15N06S3L-45
- APTM50DSKM65T3G
- APTM50DSK10T3G
- APTM50DHM65TG
- APTC80A15T1G
- SI4501ADY-T1-E3
- SI1555DL-T1-E3
- IXTL2X220N075T
- ZXMN6A09DN8TC
- ZVN4206NTA
- FDJ1027P
- 2N7002V-TP
- NTMD6N02R2
- IRF5851
- IRF7901D1
- SQ3585EV-T1_GE3
- IPG20N04S408ATMA1
- SH8K4TB1
- SI4228DY-T1-GE3
- QS8K11TCR
- SI5513CDC-T1-GE3
- SI1967DH-T1-E3
- SSM6N7002BFE,LM