Vishay Siliconix - SI7905DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523514

SI7905DN-T1-GE3 価格設定(USD) [4140個在庫]

  • 3,000 pcs$0.41599

品番:
SI7905DN-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3 electronic components. SI7905DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7905DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7905DN-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI7905DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 880pF @ 20V
パワー-最大 : 20.8W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8 Dual

あなたも興味があるかもしれません