IXYS - IXTH1N170DHV

KEY Part #: K6395198

IXTH1N170DHV 価格設定(USD) [9949個在庫]

  • 1 pcs$4.14170

品番:
IXTH1N170DHV
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTH1N170DHV electronic components. IXTH1N170DHV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH1N170DHV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH1N170DHV 製品の属性

品番 : IXTH1N170DHV
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 0V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 47nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3090pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力(最大) : 290W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247HV
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant