IRLR3636TRLPBF 価格設定（USD） [120807個在庫]
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- 品番:
- IRLR3636TRLPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR3636TRLPBF electronic components. IRLR3636TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3636TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR3636TRLPBF 製品の属性
品番 :
IRLR3636TRLPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
49nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3779pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
143W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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