PMV30UN2VL 価格設定（USD） [993639個在庫]
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- 品番:
- PMV30UN2VL
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMV30UN2VL electronic components. PMV30UN2VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV30UN2VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMV30UN2VL 製品の属性
品番 :
PMV30UN2VL
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
655pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
490mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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