Vishay Siliconix - SI1424EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421517

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品番:
SI1424EDH-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1424EDH-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI1424EDH-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-363
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363