Vishay Siliconix - SI8823EDB-T2-E1

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品番:
SI8823EDB-T2-E1
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8823EDB-T2-E1 製品の属性

品番 : SI8823EDB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
シリーズ : TrenchFET® Gen III
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 580pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 900mW (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
パッケージ/ケース : 4-XFBGA

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