STP10P6F6 価格設定（USD） [54371個在庫]
- 1 pcs$0.71913
- 10 pcs$0.65015
- 100 pcs$0.52258
- 500 pcs$0.40644
- 1,000 pcs$0.31857
- 品番:
- STP10P6F6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET P CH 60V 10A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP10P6F6 electronic components. STP10P6F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP10P6F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP10P6F6 製品の属性
品番 :
STP10P6F6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET P CH 60V 10A TO-220
シリーズ :
DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
340pF @ 48V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR