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Microchip Technology - VP0106N3-G

KEY Part #: K6399404

VP0106N3-G 価格設定（USD） [123054個在庫]

  • 1 pcs$0.30849
  • 25 pcs$0.25755
  • 100 pcs$0.23255
品番:
VP0106N3-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology VP0106N3-G electronic components. VP0106N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VP0106N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP0106N3-G 製品の属性

品番 : VP0106N3-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 250mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 60pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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