NVTR4502PT1G 価格設定（USD） [596208個在庫]
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- 品番:
- NVTR4502PT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVTR4502PT1G electronic components. NVTR4502PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVTR4502PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVTR4502PT1G 製品の属性
品番 :
NVTR4502PT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
200pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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