Infineon Technologies - IRF7665S2TRPBF

KEY Part #: K6420313

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品番:
IRF7665S2TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7665S2TRPBF 製品の属性

品番 : IRF7665S2TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 515pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.4W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET SB
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric SB

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