Infineon Technologies - IRL3102SPBF

KEY Part #: K6412027

[13587個在庫]


    品番:
    IRL3102SPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRL3102SPBF electronic components. IRL3102SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3102SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3102SPBF 製品の属性

    品番 : IRL3102SPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 61A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 7V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13 mOhm @ 37A, 7V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 700mV @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 58nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2500pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 89W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR1010ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR18N15DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • IRFR3410PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.