IRFR3410PBF 価格設定（USD） [13619個在庫]
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- 品番:
- IRFR3410PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR3410PBF electronic components. IRFR3410PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3410PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR3410PBF 製品の属性
品番 :
IRFR3410PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1690pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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