Infineon Technologies - BSL296SNH6327XTSA1

KEY Part #: K6421019

BSL296SNH6327XTSA1 価格設定(USD) [328478個在庫]

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品番:
BSL296SNH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL296SNH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSL296SNH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 460 mOhm @ 1.26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.8V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 152.7pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSOP-6-6
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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