Infineon Technologies - IPB60R330P6ATMA1

KEY Part #: K6401865

IPB60R330P6ATMA1 価格設定(USD) [2902個在庫]

  • 1,000 pcs$0.40485

品番:
IPB60R330P6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R330P6ATMA1 electronic components. IPB60R330P6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R330P6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R330P6ATMA1 製品の属性

品番 : IPB60R330P6ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO263-3
シリーズ : CoolMOS™ P6
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 330 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 370µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1010pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 93W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • PMN27XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.