SI1467DH-T1-GE3 価格設定（USD） [324558個在庫]
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- 品番:
- SI1467DH-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1467DH-T1-GE3 electronic components. SI1467DH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1467DH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1467DH-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI1467DH-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
561pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6 (SOT-363)
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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