Vishay Siliconix - SI1469DH-T1-GE3

KEY Part #: K6421080

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品番:
SI1469DH-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1469DH-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI1469DH-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.5nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 470pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-70-6 (SOT-363)
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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