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ON Semiconductor - FQI17N08LTU

KEY Part #: K6410749

[14029個在庫]

    品番:
    FQI17N08LTU
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQI17N08LTU electronic components. FQI17N08LTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI17N08LTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI17N08LTU 製品の属性

    品番 : FQI17N08LTU
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 16.5A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 8.25A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11.5nC @ 5V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 520pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 3.75W (Ta), 65W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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