IPB019N08N3GATMA1 価格設定（USD） [28343個在庫]
- 1 pcs$1.45407
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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IPB019N08N3GATMA1 製品の属性
品番 :
IPB019N08N3GATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 270µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
14200pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-7
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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