ON Semiconductor - FDV302P-NB8V001

KEY Part #: K6404393

[2027個在庫]


    品番:
    FDV302P-NB8V001
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDV302P-NB8V001 製品の属性

    品番 : FDV302P-NB8V001
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.7V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.31nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : -8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 350mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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