Toshiba Semiconductor and Storage - TK7P65W,RQ

KEY Part #: K6419867

TK7P65W,RQ 価格設定(USD) [140043個在庫]

  • 1 pcs$0.26411
  • 2,000 pcs$0.24546

品番:
TK7P65W,RQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7P65W,RQ electronic components. TK7P65W,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7P65W,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7P65W,RQ 製品の属性

品番 : TK7P65W,RQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 800 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 490pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません