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- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- POWER MODULE - SIC MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTMC120HR11CT3AG electronic components. APTMC120HR11CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC120HR11CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTMC120HR11CT3AG 製品の属性
品番 :
APTMC120HR11CT3AG
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MODULE - SIC MOSFET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
26A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
62nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 1000V
パワー-最大 :
125W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3
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