IPG20N10S4L35AATMA1 価格設定（USD） [182536個在庫]
- 1 pcs$0.20263
- 5,000 pcs$0.18591
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPG20N10S4L35AATMA1 electronic components. IPG20N10S4L35AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N10S4L35AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPG20N10S4L35AATMA1 製品の属性
品番 :
IPG20N10S4L35AATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 16µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1105pF @ 25V
パワー-最大 :
43W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8-10
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- GMM3X120-0075X2-SMDSAM
- DMN4031SSDQ-13
- APTM100VDA35T3G
- SI5515DC-T1-GE3
- SI4650DY-T1-E3
- PHKD3NQ10T,518
- FDPC1002S
- BSO4804HUMA2
- NTJD2152PT4
- RJM0603JSC-00#12
- UPA2373T1P-E4-A
- MP6K12TCR
- ECH8653-TL-H
- SI4967DY-T1-GE3
- SI4952DY-T1-E3
- SI1970DH-T1-GE3
- FDY3001NZ
- DMC3018LSD-13
- APTM50TDUM65PG
- SI1905DL-T1-E3
- SI1024X-T1-E3
- NTJD4401NT4
- MMDF2P02ER2G
- HUF76407DK8T
- ZXMD63P03XTC
- FDM3300NZ
- NTTD1P02R2G
- IRF7530PBF
- SP8K1TB
- NTTD1P02R2
- BSS8402DW-7
- IRF5810TR
- IRF9953TR
- NDS9957
- NDS9936
- NTMFD4C88NT3G
- IRFH7911TRPBF
- SIRB40DP-T1-GE3
- TPC8223-H,LQ(S
- IRFHM8363TRPBF