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- 品番:
- ZXMC4A16DN8TC
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TC electronic components. ZXMC4A16DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMC4A16DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMC4A16DN8TC 製品の属性
品番 :
ZXMC4A16DN8TC
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250mA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
パワー-最大 :
2.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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