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- 品番:
- ZXMC4A16DN8TC
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TC electronic components. ZXMC4A16DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMC4A16DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMC4A16DN8TC 製品の属性
品番 :
ZXMC4A16DN8TC
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250mA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
パワー-最大 :
2.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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