STS8DN6LF6AG 価格設定（USD） [150162個在庫]
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- 品番:
- STS8DN6LF6AG
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STS8DN6LF6AG electronic components. STS8DN6LF6AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STS8DN6LF6AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STS8DN6LF6AG 製品の属性
品番 :
STS8DN6LF6AG
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1340pF @ 25V
パワー-最大 :
3.2W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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