Infineon Technologies - IPB60R199CPAATMA1

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IPB60R199CPAATMA1 価格設定(USD) [42916個在庫]

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品番:
IPB60R199CPAATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R199CPAATMA1 製品の属性

品番 : IPB60R199CPAATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO263-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 1.1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1520pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 139W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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