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- 品番:
- SPP08N80C3XK
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPP08N80C3XK electronic components. SPP08N80C3XK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP08N80C3XK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP08N80C3XK 製品の属性
品番 :
SPP08N80C3XK
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 470µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
104W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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