Infineon Technologies - IPA60R125P6XKSA1

KEY Part #: K6416755

IPA60R125P6XKSA1 価格設定(USD) [18229個在庫]

  • 1 pcs$1.95230
  • 10 pcs$1.74341
  • 100 pcs$1.42976
  • 500 pcs$1.09837
  • 1,000 pcs$0.92634

品番:
IPA60R125P6XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPA60R125P6XKSA1 electronic components. IPA60R125P6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA60R125P6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA60R125P6XKSA1 製品の属性

品番 : IPA60R125P6XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
シリーズ : CoolMOS™ P6
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 960µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2660pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 34W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.