Infineon Technologies - BSL802SNL6327HTSA1

KEY Part #: K6406801

[1194個在庫]


    品番:
    BSL802SNL6327HTSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSL802SNL6327HTSA1 製品の属性

    品番 : BSL802SNL6327HTSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.5A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 2.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 750mV @ 30µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.7nC @ 2.5V
    Vgs(最大) : ±8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1347pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSOP-6-6
    パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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