Infineon Technologies - SPD07N60S5T

KEY Part #: K6410173

[28個在庫]


    品番:
    SPD07N60S5T
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies SPD07N60S5T electronic components. SPD07N60S5T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD07N60S5T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPD07N60S5T 製品の属性

    品番 : SPD07N60S5T
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    シリーズ : CoolMOS™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.3A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 4.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 350µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 970pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 83W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FCD7N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

    • FDD5810

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

    • BSL211SPT

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.