メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN1006
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
400mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
51pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)