STMicroelectronics - STH140N8F7-2

KEY Part #: K6399874

STH140N8F7-2 価格設定(USD) [40675個在庫]

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品番:
STH140N8F7-2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STH140N8F7-2 製品の属性

品番 : STH140N8F7-2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
シリーズ : DeepGATE™, STripFET™ VII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6340pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 200W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : H2Pak-2
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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