Infineon Technologies - IPP80R900P7XKSA1

KEY Part #: K6398432

IPP80R900P7XKSA1 価格設定(USD) [55012個在庫]

  • 1 pcs$0.75676
  • 10 pcs$0.67105
  • 100 pcs$0.53028
  • 500 pcs$0.41123
  • 1,000 pcs$0.30710

品番:
IPP80R900P7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPP80R900P7XKSA1 electronic components. IPP80R900P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80R900P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80R900P7XKSA1 製品の属性

品番 : IPP80R900P7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 110µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 350pF @ 500V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 45W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.

  • TK10A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.