R6009ENX 価格設定（USD） [33884個在庫]
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- 品番:
- R6009ENX
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6009ENX electronic components. R6009ENX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6009ENX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6009ENX 製品の属性
品番 :
R6009ENX
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
535 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
430pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220FM
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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