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Microchip Technology - TN0610N3-G

KEY Part #: K6398527

TN0610N3-G 価格設定（USD） [95429個在庫]

  • 1 pcs$0.41810
  • 25 pcs$0.32811
  • 100 pcs$0.29900
品番:
TN0610N3-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology TN0610N3-G electronic components. TN0610N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN0610N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN0610N3-G 製品の属性

品番 : TN0610N3-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 500mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 3V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 150pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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