Diodes Incorporated - DMT6004LPS-13

KEY Part #: K6409538

DMT6004LPS-13 価格設定(USD) [122154個在庫]

  • 1 pcs$0.30279
  • 2,500 pcs$0.26799

品番:
DMT6004LPS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 22A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6004LPS-13 electronic components. DMT6004LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6004LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6004LPS-13 製品の属性

品番 : DMT6004LPS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 60V 22A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Ta), 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 96.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4515pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.1W (Ta), 105W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI5060-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.