[3156個在庫]
- 品番:
- 2N7000BU_T
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V TO92.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 2N7000BU_T electronic components. 2N7000BU_T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7000BU_T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2N7000BU_T 製品の属性
品番 :
2N7000BU_T
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V TO92
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
50pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-92-3
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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