[3179個在庫]
- 品番:
- SSM3K35MFV,L3F
- 詳細な説明:
- X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV,L3F electronic components. SSM3K35MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K35MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K35MFV,L3F 製品の属性
品番 :
SSM3K35MFV,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9.5pF @ 3V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150mW (Ta)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
パッケージ/ケース :
SOT-723
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