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- 品番:
- IPP023NE7N3G
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP023NE7N3G electronic components. IPP023NE7N3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP023NE7N3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP023NE7N3G 製品の属性
品番 :
IPP023NE7N3G
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
シリーズ :
OptiMOS™ 3
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 273µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
14400pF @ 37.5V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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