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- 品番:
- IXTY1R4N60P TRL
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTY1R4N60P TRL electronic components. IXTY1R4N60P TRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1R4N60P TRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTY1R4N60P TRL 製品の属性
品番 :
IXTY1R4N60P TRL
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
140pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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