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ON Semiconductor - FDD86567-F085

KEY Part #: K6403457

FDD86567-F085 価格設定（USD） [132017個在庫]

  • 1 pcs$0.28017
品番:
FDD86567-F085
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDD86567-F085 electronic components. FDD86567-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86567-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86567-F085 製品の属性

品番 : FDD86567-F085
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4950pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 227W (Tj)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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