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ON Semiconductor - FDD3860

KEY Part #: K6403384

FDD3860 価格設定（USD） [176023個在庫]

  • 1 pcs$0.21118
  • 2,500 pcs$0.21013
品番:
FDD3860
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDD3860 electronic components. FDD3860 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3860, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD3860 製品の属性

品番 : FDD3860
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1740pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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